Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 512, Número de portas: 48000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 6.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 7.5ns, Subministración de tensión - interna: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 7.2ns, Subministración de tensión - interna: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 768, Número de portas: 72000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 192,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 7.5ns, Subministración de tensión - interna: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 1536, Número de portas: 144000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de elementos lóxicos / bloques: 8, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 7.5ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 2.5V, 3.3V, Número de macrocélulas: 768, Número de portas: 72000,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 7.5ns, Subministración de tensión - interna: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 192,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 20.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 15.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.5V ~ 5.5V, Número de macrocélulas: 512,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 10.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 32,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 7.5ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 20.0ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 256,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 12.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 128,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 6.5ns, Subministración de tensión - interna: 3V ~ 3.6V, Número de macrocélulas: 64,
Tipo programable: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Tempo de atraso tpd (1) Máx: 6.0ns, Subministración de tensión - interna: 4.75V ~ 5.25V, Número de macrocélulas: 64,
