Memoria

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 35ns,

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Cypress Semiconductor Corp

5962-9232406MYA

Parte Stock: 1828

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 35ns,

Wishlist.

Cypress Semiconductor Corp

5962-9459901MXA

Parte Stock: 1764

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 55ns,

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Cypress Semiconductor Corp

5962-9232404MYA

Parte Stock: 1823

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 55ns,

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Cypress Semiconductor Corp

5962F1120202QXA

Parte Stock: 82

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Synchronous, QDR II+, Tamaño da memoria: 72Mb (2M x 36), Frecuencia do reloxo: 250MHz,

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Cypress Semiconductor Corp

5962F1120201QXA

Parte Stock: 43

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Synchronous, QDR II+, Tamaño da memoria: 72Mb (2M x 36), Frecuencia do reloxo: 250MHz,

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Cypress Semiconductor Corp

5962F1120102QXA

Parte Stock: 32

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Synchronous, QDR II+, Tamaño da memoria: 72Mb (4M x 18), Frecuencia do reloxo: 250MHz,

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Cypress Semiconductor Corp

5962F1123501QXA

Parte Stock: 50

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 4Mb (512K x 8), Frecuencia do reloxo: 83MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 12ns,

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Cypress Semiconductor Corp

5962-9459903MXA

Parte Stock: 4495

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 35ns,

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Cypress Semiconductor Corp

5962-9232404MXA

Parte Stock: 5330

Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 55ns,

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Cypress Semiconductor Corp

5962F1120101QXA

Parte Stock: 34

Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Synchronous, QDR II+, Tamaño da memoria: 72Mb (4M x 18), Frecuencia do reloxo: 250MHz,